No/VOL: 01/2019 Page no. 231
Authors: Kamil Bargieł , Damian Bisewski , Janusz Zarębski :
Title: Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Abstract: W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
Key words: tranzystor JFET, węglik krzemu, modelowanie, program PSPICE.