Najstarsze czasopismo elektryków polskich. Ukazuje się od 1919 roku.

strona w języku polskim english page

Numer: 01/2019 Str. 231

Autorzy: Kamil Bargieł , Damian Bisewski , Janusz Zarębski :

Tytuł: Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

Streszczenie: W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.

Słowa kluczowe: tranzystor JFET, węglik krzemu, modelowanie, program PSPICE.

wstecz