No/VOL: 11/2015 Page no. 313
Authors: Jan Waśkiewicz , Jerzy Gołębiowski :
Title: Mechanizm fizyczny pamięci rezystancyjnej w cienkowarstwowej strukturze Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag
Abstract: W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturach od 78K do 300K. Zjawisko to wyjaśniono procesami likwidacji i odtwarzania warstw zubożonych w jony tlenu, znajdujących się w sąsiedztwie elektrod oraz w objętości nadprzewodnika. Procesy te zachodzą na drodze elektrodyfuzji jonów poprzez liczne wakansy tlenowe obecne w materiałach typu perowskitu.
Key words: nadprzewodniki wysokotemperaturowe, zjawisko pamięci elektrorezystancyjnej, charakterystyki prądowe i temperaturowe, elektrodyfuzja jonów tlenu.