No/VOL: 12b/2012 Page no. 287
Authors: Sebastian Giziewski :
Title: Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Abstract: W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI. Wysokoczęstotliwościowe przekształtniki z tranzystorami SiC JFET dają nowe możliwości regulacji układów z silnikami wysokoobrotowymi (100 tys. obr./min.), co potwierdzają przedstawione wyniki badań symulacyjnych i eksperymentalnych generacji napięcia o częstotliwości podstawowej harmonicznej 1500Hz.
Key words: falownik napięcia, SiC, JFET, węglik krzemu, silniki wysokoobrotowe.