Numer: 11b/2012 Str. 364
Autorzy: Paweł Węgierek , Piotr Billewicz :
Tytuł: Badania prawdopodobieństwa skokowej wymiany ładunków w GaAs napromieniowanym jonami H+
Streszczenie: W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.
Słowa kluczowe: defekty radiacyjne, energia aktywacji, przewodność skokowa, arsenek galu.