No/VOL: 07a/2012 Page no. 305
Authors: Julia Fedotova , Anis Saad , Dmitry Ivanou , Yulia Ivanova , Aleksander Fedotov , Alexander Mazanik , Ivan Svito , Eugen Streltsov , Tomasz Koltunowicz , Serguey Tyutyunnikov :
Title: Gigantyczny efekt magnetorezystywności w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni wytworzonych przy użyciu metody nanoszenia elektrochemicznego
Abstract: Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu.
Key words: implantacja jonowa, ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja.