Numer: 12/2021 Str. 187
Autorzy: Damian Bisewski , Emilia Lubicz-Krośnicka :
Tytuł: Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Streszczenie: Praca dotyczy problematyki modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu. Przedstawiono aktualny status komercyjny tranzystorów SiC-MOS oraz informacje w zakresie dostępności modeli firmowych rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano budowę oraz zasadę działania modeli oferowanych przez wybranych producentów tranzystorów SiC-MOS. Przedstawiono wyniki oceny dokładności tych modeli poprzez porównanie wyników symulacji oraz charakterystyk katalogowych.
Słowa kluczowe: modelowanie, MOSFET, SiC, SPICE.